SUP60030E-GE3 与 IPP028N08N3 G 区别
| 型号 | SUP60030E-GE3 | IPP028N08N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUP60030E-GE3 | A-IPP028N08N3 G |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET | 系列:OptiMOS™ |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.4 mOhms @ 30A,10V | 2.8mΩ |
| 上升时间 | - | 73ns |
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | 375W(Tc) | 300W |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 86ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | - |
| 连续漏极电流Id | 120A(Tc) | 100A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 长度 | - | 10mm |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 下降时间 | - | 33ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 28ns |
| 高度 | - | 15.65mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP60030E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 3.4 mOhms @ 30A,10V 375W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 80V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IPP028N08N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
80V 100A 2.8mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 500 | 对比 |
|
STP140NF75 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A |
暂无价格 | 5,400 | 对比 |
|
IRFB3077PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 370W(Tc) 3.3mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 210A 75V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
IRFB7540PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.1mΩ@65A,10V N-Channel 60V 110A TO-220 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
|
IRFB3207ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) 4.1mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 170A 75V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
